“同志们辛苦了，我代表公司奖励项目组20万元！”

二十七日下午，接到魏建国的电话，光刻机电源厂制造成功第一台arf准分子激光器样机，孙健第二天上午乘飞机来到京城，接见arf准分子激光器样机项目研制和生产项目部成员代表。

十月中旬，夏季常团队研制成功5英寸晶圆、1um制程工艺的磁悬浮式双工作台系统。

gca光刻机半导体研究院得到磁悬浮式双工作台系统的专利技术，为了早日攻克8英寸晶圆、250nm磁悬浮式双工作台系统，汤普森院长集中全院相关科研人员联手攻关，二个月的时间就先后研制成功5英寸晶圆、1um制程工艺和6英寸晶圆、800nm制程工艺的磁悬浮式双工作台系统，如今正在研制8英寸晶圆、500nm制程工艺的的磁悬浮式双工作台系统。

按照如今的进程，明年初就能得到好消息。

按照双方签订的专利技术转让协定，gca要将5英寸晶圆、1um制程工艺和6英寸晶圆、800nm制程工艺的磁悬浮式双工作台系统技术都转交给bsec。

汤普森交给总裁余建国，余建国交给邓国辉。

虽然可以节约bsec双工作台研究所不少时间和投入，但夏季常团队将来还要研制浸没式光刻系统相对应的磁悬浮式双工作台，孙健建议夏季常带领研究员们自己研制一遍。

一步步研制的过程就是科技人员能力和技术提升的过程。

十一月初，邓国辉团队消化吸收了arf准分子激光器的专利技术，转入生产样机阶段。

bsec拨款2000万元，光刻机光源研究所、光刻机光学系统研究所和光刻机工作研究所如今正在研制arfi准分子激光器和浸没式光刻系统。